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離子束輔助鍍膜是近些年出現的新技術(shù)，在磁場(chǎng)和電場(chǎng)的作用下，閉環(huán)遷移的電子與氣體碰撞放電形成離子，電場(chǎng)將離子引出加速發(fā)射，離子帶有能量，具有能量的離子與電子聚集形成等離子體。

因普通物理清洗、烘干方式無(wú)法完全去除被鍍工件表面污染物，而進(jìn)行鍍膜前，徹底的清潔處理至關(guān)重要，則使用該技術(shù)，借助等離子體深度清洗、轟擊、刻蝕被鍍工件，清除表面結合力弱的分子，并活化基體，從而提高膜層結合力，改善晶體結構。

因其成膜原子能量低、膜層附著(zhù)力差但沉積速率快、鍍制膜系廣泛、可優(yōu)化薄膜結構改善薄膜生長(cháng)等特點(diǎn)，該技術(shù)一般不用于鍍制膜層，只用于清洗、轟擊、輔助沉積等。

在實(shí)際中，我們通過(guò)離子源電源實(shí)現該技術(shù)，除上述特點(diǎn)外，離子源電源還能提升氣體離化率和活化度，與金屬離子高效結合。重復性及一致性高，適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)。因其薄膜光學(xué)特性還可用于光學(xué)、半導體等領(lǐng)域。

派立特生產(chǎn)的離子源電源采用進(jìn)口IGBT搭配先進(jìn)的MCU,PWM脈寬調制技術(shù)，為客戶(hù)提供了大范圍連續平穩可調的電壓、電流、占空比，控制精度高。理性的電壓陡降特性能夠有效地抑制離子源表面的打火現象。極佳的負載匹配能力，既能保證清洗工藝的穩定性，還能提高清洗速度。

此外，我司的離子源電源為脈沖輸出，標準電源電壓峰值有2000V或3000V可選。針對寬縫、窄縫不同工藝要求，我們?yōu)榭蛻?hù)提供了恒流、恒壓不同工作模式的電源。通訊接口為本地控制、模擬量和數字量三種可選，操作更加便捷。當然，美觀(guān)、輕巧、高穩定性等特點(diǎn)，一直是派立特對電源的基礎要求，期待您的咨詢(xún)。